ام پی فایل - مرجع خرید ارزان پایان نامه تبلیغات شما

آمار سایت

    آمار مطالب
    کل مطالب : 4127
    آمار کاربران
    افراد آنلاین : 15

    کاربران آنلاین

    آمار بازدید
    بازدید امروز : 4,232
    باردید دیروز : 4,417
    گوگل امروز : 10
    گوگل دیروز : 21
    بازدید هفته : 8,649
    بازدید ماه : 104,344
    بازدید سال : 427,580
    بازدید کلی : 6,874,608

خرید پایان نامه و مقالات دانشگاهی

    دانلود مقالات و پایان نامه دانشگاهی

 بهبود الگوریتم GM-PHD به منظور ردیابی چند هدف و چند سنسور با کمک تخمین

بهبود الگوریتم GM-PHD به منظور ردیابی چند هدف و چند سنسور با کمک تخمین
نوع فایل: word (قابل ویرایش)
تعداد صفحات : 126 صفحه

 
چکیده
در این پایان نامه مشکلات ردیابی چند هدفه و چند سنسور، با استفاده از قاعده مجموعه ذرات تصادفی مورد بررسی قرار می‌گیرد. فرضیه چگالی احتمال (PHD) بازگشتی به صورت دینامیکی اجرا می‌شود. این حالت دینامیکی به وسیله تلفیق مقدار بایاس انتقالی با تابع شدت انجام می‌گردد. بایاس دینامیکی را به صورت گوسی خطی در تابع شدت  فرض کرده ایم. اجرا فیلتر گوسی به صورت اجزا گوسی فرم بسته می‌باشد. موقعیت هدف و مقدار بایاس انتقالی به واسطه تابع صحت در هر مرحله با هم کوبل می‌شوند. استفاده از فیلتر دو مرحله‌ای کالمن منجر به کاهش قابل توجهی  پیچیدگی محاسبات می‌شود. در اینجا دو مثال برای بررسی فیلتر پیشنهادی فراهم شده است.
کلمات کلیدی: ردیابی چند هدف، فیلتر فرضیه چگالی احتمال، تخمین بایاس

 پیش بینی نرخ خوردگی و ثابت سرعت سایش در لوله مغزی های گاز با شبکه عصبی

پیش بینی نرخ خوردگی و ثابت سرعت سایش در لوله مغزی های گاز با استفاده از شبکه عصبی
نوع فایل: word (قابل ویرایش)
تعداد صفحات : 171 صفحه

چكيده
خوردگی پدیده ای است که به علت تأثیر عوامل مختلف، پیچیدگی بسیار زیادی دارد و به راحتی قابل مدلسازی نیست. جهت پیش بینی و مدلسازی خوردگی به واکنش ها و فرآیندهای فیزیکی، شیمیایی و الکتروشیمیایی آن توجه می شود و مدلسازی بر اساس آن انجام می گیرد. با وجود موفقیت هایی که این مدل ها داشته اند، لیکن به علت تعدد عوامل تأثیرگذار که بعضا ناشناخته نیز هستند، نیاز به مدل هایی است که با دقت بیشتری این پدیده را مدلسازی و پیش بینی کنند.  ضمنا، صنایع نفت و گاز خصوصا صنایع بالادستی همواره با معضل پدیده سایش/خوردگی مواجه بوده است و علاوه بر محدودیت های ذاتی موجود در مخزن که بر توان تولید چاه های تولیدی گاز هر مخزن اثر می گذارد، محدودیت سرعت سیال در رشته تولیدی چاه به منظور پیشگیری از پدیده سایش/ خوردگی یکی دیگر از عوامل تعیین کننده ظرفیت تولیدی یک چاه گازی می باشد. یک روش معمول برای بدست آوردن سرعت تولید استفاده از رابطه ی پیشنهاد شده توسط استاندارد API RP 14E  است. در این رابطه فاکتور C،که همان ثابت سرعت سایش است، در شرایط مختلف توسط استاندارد پیشنهاد شده است. تجربه نشان داده که پیشنهاد این استاندارد در بسیاری موارد محافظه کارانه است.
 هدف از این تحقیق پیش بینی نرخ خوردگی توسط شبکه عصبی و همچنین ثابت سرعت سایش  توسط شبکه های عصبی مصنوعی است و پیشنهاد عددی مناسب برای ثابت C با استفاده از داده های میدانی از چاه¬های گازی مورد بحث است، بنحوی که پدیده ی سایش/خوردگی اتفاق نیافتد.
واژه‌های کلیدی:  شبکه عصبی، خوردگی فلزات، ثابت سایش، لوله مغزی، چاه گازی
 

 بهبود آنتن آرایه ای موج رونده موجبر شکا فدار برای کاهش سطح لوب کناری وپلاریزاسیون متقاطع

بهبود آنتن آرایه ای موج رونده موجبر شکا فدار برای کاهش سطح لوب کناری وپلاریزاسیون متقاطع
نوع فایل: word (قابل ویرایش)
تعداد صفحات : 125 صفحه

چکيده
آنتن های موجبر شکاف دار در سال ۱۹۴۳ در دانشگاه Mc-Gill معرفی شدند. ساختار ساده، بازده بالا و پلاریزاسیون خطی این تشعشع کننده ها ، باعث محبوبیت آن ها در بسیاری از کاربردهای راداری شده است. برای پلاریزاسیون عمودی و اسکن زاویه ای زیاد، شکاف های روی بدنه باریک موجبر استفاده می شود. یک شکل متداول از این شکاف ها، شکاف های اریب می باشد. کوپلینگ بین المان های مجاور، به صورت قابل ملاحظه ای سطح لوب کناری را تحت تاثیر قرار می دهد. برای شکاف های روی بدنه باریک موجبر یک فرمول بندی دقیقی در دسترس نیست. به دلیل فرورفتگی طول شکاف ها به بدنه پهن موجبر آنالیز تحلیلی این شکاف ها مشکل است. در این مورد معمولا نتایج اندازه گیری استفاده می شود که بسیار هزینه بر می باشد. در این کار با استفاده از نرم افزار CST-Microwave Studio که یک تحلیگر میدانی عددی تمام موج می باشد، رسانایی و طول های رزونانس شکاف ها با در نظر گرفتن اثر کوپلینگ به وسیله اعمال شرایط مرزی پریودیک، محاسبه می شود. یک نمودار رسانایی برای المان های متفاوت فراهم و برای طراحی یک آرایه موج رونده موجبر شکاف دار استفاده می شود. کج شدن شکاف ها باعث افزایش پلاریزاسیون متقاطع می شود. در این کار یک نمونه شکاف چرخش نیافته که پلاریزاسیون متقاطع بسیار کمتری را به وجود می آورد پیشنهاد می شود. ساختار پیشنهاد شده از لحاظ ساخت بسیار آسان بوده و دارای مزیت قابل تیونینگ بودن با حساسیت کم به تلرانس ساخت می باشد. در این مورد هم یک نمودار طراحی برای رسانایی شکاف ها که اثر کوپلینگ متقابل بین شکاف ها را در نظر می گیرد فراهم می شود. آرایه طراحی شده با این نمونه از شکاف ها با طراحی با شکاف های اریب مقایسه می شود تا بهبود پلاریزاسیون متقاطع را نشان دهد.  کلید واژه : آنتن های شکاف دار ، سطح لوب کناری ، پلاریزاسیون متقاطع ، موج رونده
 
 

 پاسخ زمانی و مدل‌ مداری آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار لایه‌های گرافنی نانوروبان گرافن

پاسخ زمانی و مدل‌ مداری آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار لایه‌های گرافنی نانوروبان گرافن لایه‌های گرافنی
نوع فایل: word (قابل ویرایش)
تعداد صفحات : 105 صفحه

چکيده
هدف از این تحقیق ارائه‌ی پاسخ زمانی آشکارساز نوری مبتنی بر لایه‌های گرافنی و نانوروبان گرافن است. لزوم افزایش گستره‌ی محدوده‌ی طول موج تحت پوشش آشکارساز و توسعه‌ی کاربری در کنار کاهش هزینه در فرآیند تولید، انگیزه‌ی اصلی برای پیشرفت ساختارهای با ابعاد كوچك می‌باشد. گرافن به دلیل طیف انرژی بدون شکاف، پرتوی  الکترومغناطیسی را از محدوده طیفی تراهرتز تا فرابنفش را جذب می‌کند. بازده کوانتومی ‌نسبتا بالا در انتقالات بین باندی گرافن و به خصوص در ساختار گرافن چندلایه، ابداع آشکارسازهای نوری تراهرتز  و زیر قرمز مناسب و جدید را گسترش داده است. چندین مدل از آشکارسازهای IR/THz با به کارگیری ساختار یک و چند لایه به همراه ساختارهای نانوروبان گرافن پیشنهاد، ارزیابی و به صورت تجربه مطالعه شده‌اند. اما علیرغم تلاش‌هایی که شده است هنوز محدوده سرعت نهایی این افزاره‌ها مشخص نیست. در این رساله، ما به بررسی آشکارساز نوری گرافنی می‌پردازیم که از دو ناحیه از لایه‌های گرافنی(GLs)  بدون شکاف انرژی که ناخالص ‌نشده است (نوع i ) تشکیل شده اند. این نواحی جذب توسط اتصالات طرفین تغذیه می‌شوند و به وسیله‌ی یک نانوروبان گرافن (GNR) به هم متصل شده‌اند. در این افزاره جذب توسط لایه‌های گرافنی انجام می‌شود که باعث افزایش چگالی الکترون و حفره در این نواحی می‌شود. این پدیده منجر به جریان الکترون و حفره به صورت ترمویونی در دو طرف سد پتانسیلی شکل گرفته در نانوروبان گرافن می‌شود و جریان نوری ایجاد می‌شود. حضور نانوروبان گرافن و سد پتانسیل مربوط به آن باعث کاهش جریان تاریک می‌شود. در لایه‌های گرافنی که تحت تابش قرار گرفته‌اند، بخش اعظم انرژی نوری جذب‌شده به انرژی الکترون- حفره‌ها منتقل می‌شود که معمولا این منجر به گرم شدن سیستم الکترون- حفره می‌شود. در نتیجه فونون‌های نوری گسیل‌شده توسط الکترون و حفره‌هایی که به وسیله نور تولید شده‌اند، در لایه‌های گرافنی انباشته می‌شوند. بنابراین به نظر می‌رسد به حساب آوردن گرمای فونون‌های نوری غیر قابل صرف نظر باشد. پس نرخ تولید و فرسایش فونون‌های نوری نیز در معادلات نرخ باید در نظر گرفته شود. در این رساله پاسخ زمانی آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار GL-GNR-GL را با به دست آوردن معادله نرخ ارائه شده است و نتایج نشانگر آن است که در فرکانس‌های بالا این آشکارساز نوری پاسخ سریع‌تری دارد و در فرکانس‌های پایین دارای پاسخ نوری مطلوب‌تری می‌باشد.

 پیشنهاد روشی برای حفاظت خط انتقال مجهز به خازن سری

نوع فایل: word (قابل ویرایش)
تعداد صفحات : 120 صفحه

چکیده:
خطوط انتقالی که توسط رله‌های دیستانس حفاظت می‌شوند، دارای محدودیت‌هایی در حضور جبران‌سازی سری هستند. هنگامی‌که حلقه‌ی خطا شامل خازن سری است، امپدانس دیده شده به وسیله‌ی رله‌ی دیستانس، کاهش می‌یابد. سطح جبران‌سازی در هر لحظه، به تعداد خازن‌های متصل در آن زمان بستگی دارد. بنابراین برای عملکرد صحیح رله‌ی دیستانس، داشتن اطلاعات در مورد سطح جبران‌سازی موجود در خط انتقال ضروری است. تطبیق دادن تنظیمات در رله‌های عددی با استفاده از اطلاعات جمع‌آوری شده از طریق سیستم‌های ارتباطی ممکن است. PMU یک تجهیز الکتریکی است که دامنه و فاز ولتاژ و جریان را با سرعت بالا اندازه‌گیری کرده و بر روی آنها برچسب زمانی با دقت یک میکروثانیه می‌زند. در این پایان‌نامه، از اطلاعات فازوری بدست آمده از دو انتهای خط انتقال با استفاده از کاربرد PMU در سیستم‌های قدرت، برای محاسبه‌ی امپدانس خط و سطح جبران‌سازی به ازای شرایط مختلف استفاده شده‌ است، تا تنظیمات ناحیه‌ی حفاظتی ۲ و ۳ رله متناسب با خط ‌جبران‌شده‌ی سری، تطبیق یابد. روش پیشنهادی جهت درست‌آزمایی در دو سیستم نمونه کوچک و بزرگ پیاده‌سازی شده است. از نتایج بدست آمده می‌توان مشاهده کرد که روش پیشنهادی با مقدارخطای قابل قبولی، درصد جبران‌سازی خط انتقال را تخمین می‌زند. سپس با اصلاح تنظیمات رله‌ی دیستانس متناسب با شرایط سیستم، رله عملکرد درستی نسبت به خطاهای مختلف دارد. کلید واژه: حفاظت خط انتقال مجهزخازن سری، واحد اندازه‌گیری فازور، حفاظت تطبیقی

 تاثیر پدیده جرقه برگشتی در خطوط انتقال بر عملکرد رله دیستانس

تاثیر پدیده جرقه برگشتی در خطوط انتقال بر عملکرد رله دیستانس
نوع فایل: word (قابل ویرایش)
تعداد صفحات : 120 صفحه
 
چکیده
در این پایان‌نامه، اثر پدیده قوس بازگشتی بر روی عملکرد رله‌ حفاظتی دیستانس مورد ارزیابی قرارگرفته است. از آنجا که برخورد صاعقه به دکل یا سیم‌گارد در خطوط انتقال می‌تواند باعث ایجاد قوس بازگشتی بر روی زنجیر مقره‌ها گردد. لذا در ابتدا روش‌‌های مختلف مدل‌سازی پارامترها و تجهیزات خطوط انتقال شامل دکل، زنجیر مقره و منبع صاعقه و پدیده قوس بازگشتی(مدل قوس‌هاي اوليه و ثانويه) با استفاده از مراجع مهم موجود در اين زمينه مورد بررسی قرار می‌گیرند و برای هر کدام از این پارامترها چند مدل معرفی می‌شود. سپس تاثیر قوس بازگشتی بر روی عملکرد رله دیستانس مورد بررسی قرار می‌گیرد. در این راه مهمترین گام، شبیه‌سازی مراحل پياده‌سازي اين مدل‌ها در شبکه نمونه توسط نرم͏افزار EMTP-RV می‌باشد.
کلیدواژه- صاعقه، خطوط انتقال فشار قوی، قوس بازگشتی، رله حفاظتی دیستانس.

 تحلیل و شبیه سازی تقویت امواج عبوری از نانولوله های کربنی فلزی با بایاس DC

تحلیل و شبیه سازی تقویت امواج عبوری از نانولوله های کربنی فلزی با بایاس DC
نوع فایل: word (قابل ویرایش)
تعداد صفحات : 103 صفحه

چکيده
تولید و تقویت بسامدهای رادیویی  قلب مخابرات ماهواره ای و کاربردهای الکترونیک نوری است. صنعت مخابرات به دنبال تقویت کننده های بسامد رادیویی در مقیاس کوچک تر و موثرتر در بسامد-های بالاتر است. نانوساختارها به دلیل ویژگی های منحصربه فردشان این نیازها را برآورده می کنند. در این پایان نامه ویژگی های ساختار گرافین و نحوه شکل گیری نانولوله های کربنی از آن را بیان می-کنیم، شباهت ها و تفاوت های ساختار نانولوله کربنی  و تقویت کننده لوله ای موج رونده  را بررسی کرده و علت فیزیکی تقویت در این دو ساختار را مقایسه می کنیم. معادله بولتزمن که برای نانولوله-های کربنی با بایاس همزمان AC و DC به کارمی رود را بررسی می کنیم و به تحلیل فیزیکی رسانایی تفاضلی منفی  ایجادشده در نمودارهای به دست آمده می پردازیم. با توجه به عدم تطبیق امپدانسی که در استفاده از نانولوله های کربنی در دنیای واقعی رخ می دهد باید بستر مناسبی برای کاهش عدم تطبیق امپدانس طراحی کنیم. در این طراحی از موج بر هم صفحه به دلیل مزایایی که دارد مانند ظرفیت بسامد بالا، قابلیت ساخت در ابعاد زیر میکرو و… استفاده می کنیم. در مسیر عبور سیگنالِ موج بر هم صفحه یک فضای خالی برای جاسازی نانولوله کربنی ایجاد می کنیم، سعی بر این است که این فضای خالی تا حد امکان کوچک باشد تا تعداد نانولوله های کربنی به کار رفته کاهش یابد. ساختار پیشنهاد شده باعث کاهش عدم تطبیق امپدانس شد. کليد واژه: نانولوله های کربنی، تقویت در نانولوله های کربنی بایاس شده، معادله بولتزمن، رسانایی تفاضلی منفی.
 

 پایان نامه ارتعاشات غیرخطی و رفتار پس از کمانش میکرولوله های حاوی جریان

پایان نامه ارتعاشات غیرخطی و رفتار پس از کمانش میکرولوله های حاوی جریان بر اساس تئوری های تنش کوپل و تغییرات کرنش
نوع فایل: word (قابل ویرایش)
تعداد صفحات : 100 صفحه

 چکيده
در این تحقیق یک حل تحلیلی برای نمایش وابستگی به اندازه و تأثیر اختلاف دما بر ارتعاشات آزاد غیرخطی و رفتار پس از کمانش میکرولوله های حاوی جریان ارائه شده است. بر اساس مدل اولر  برنولی، تئوری گرادیان کرنش، تئوری تنش کوپل و هندسه ی غیرخطی وون-کارمن، معادلات ریاضی بر حسب سه پارامتر طولی بسط داده شد. همچنین، از اصل همیلتون برای به دست آمدن معادله ی حاکم و شرایط مرزی مربوط به آن استفاده شده است. با استفاده از روش گالرکین معادله¬ی حاکم به فرم معادله ی دافین نوشته می شود. پس از آن، از یک روش حل قدرتمند به نام روش تحلیل هموتوپی کمک گرفته شده است تا روابطی تحلیلی برای فرکانس طبیعی غیرخطی در سرعت-های مختلف جریان به دست آید. به منظور بررسی رفتار پس از کمانش میکرولوله های حاوی جریان، از روش گالرکین برای حل معادله ی حاکم استاتیک استفاده شده است. برای تکمیل پژوهش، ارتعاشات غیرخطی و رفتار پس از کمانش میکرولوله های هدفمند حاوی جریان نیز مورد بحث قرار  گرفته است. در این نوع میکرولوله ها، خواص ماده در راستای ضخامت به طور پیوسته، طبق قانون توزیع توانی تغییر می کند. برای یک مقایسه ی جامع و فراگیر بین تئوری های مختلف، تحلیل خطی و غیرخطی با استفاده از تئوری های گرادیان کرنش، تنش کوپل و مکانیک کلاسیک، انجام شده است. نتایج نشان می دهد که پارامترهای طولی غیرکلاسیک، اختلاف دما و اندیس قانون توانی تأثیر قابل توجهی بر ارتعاشات غیرخطی ، سرعت بحرانی و دامنه ی کمانش میکرولوله های حاوی جریان دارد.

واژه‌هاي كليدي: میکرولوله ی حاوی جریان، گرادیان کرنش، تنش کوپل، ارتعاشات غیرخطی، رفتار پس از کمانش، مواد هدفمند، اثرات اندازه

 بررسی پدیده ولتاژ و جریانهای حالت مشترک در اینورترهای سه فاز و راه حذف آنها

بررسی پدیده ولتاژ و جریانهای حالت مشترک در اینورترهای سه فاز و راه های کاهش و حذف آنها
نوع فایل: word (قابل ویرایش)
تعداد صفحات : 109 صفحه

 
چکیده
ولتاژ و جریان های حالت مشترک به دلیل ایجاد ظرفیت خازنی پارازیتی بین سلول های خورشیدی و قاب آن ها که معمولاً زمین شده است، ایجاد می شوند. این ظرفیت ها معمولاً به صورت خازن هایی بین سرمنفی سلول خورشیدی با زمین مدل سازی می شوند. در سلول های خورشیدی  که به واسطه ترانس به شبکه متصل می شوند، ایزولاسیون الکتریکی سیم پیچ های ترانس و فرکانس بالای ولتاژ و جریان حالت مشترک عملاً جایی برای جریان یافتن ندارند و در نتیجه عملاً جریان حالت مشترک خاصی تولید نمی¬شود. به این ترتیب نوع آرایش اینورتر و نحوه کلید زنی آن تاثیر چندانی بر این مسئله ندارد. اما در آرایش بدون ترانس باید مسیری برای جلوگیری از انتقال جریان نشتی ناشی از ولتاژ حالت مشترک به شبکه پیدا کرد.
اگر تعداد سطوح به اندازه کافی زیاد باشد، می توان پل ها را در فرکانس پایه با مدولاسیون موج مربعی نیز کلید زنی کرد. به این ترتیب تاثیرات الکترومغناطیسی متقابل بین بخش های قدرت و بخش های الکترونیکی سیستم به حداقل می رسد. در عین حال ولتاژ خروجی اینورتر به شکل موج سینوسی نزدیک خواهد بود و نیازی به فیلترگذاری بزرگی وجود نخواهد داشت و ولتاژ حالت مشترک نیز ایجاد نخواهد شد. البته برای فرکانس های پایین استفاده از مدولاسیون موج مربعی باعث اعوجاج ولتاژ و جریان خواهد شد. بنابراین استفاده از مدولاسیون پهنای پالس سینوسی با ضریب مدولاسیون متفاوت برای سطوح مختلف پیشنهاد شده است. روش مدولاسیون پهنای پالس سینوسی روشی ساده تر و قابل درک تر از روش فضای برداری است و اعمال آن در اینورترهای دو، سه و چند سطحی تک قطبی و دو قطبی نیاز به محاسبات پیچیده ای ندارد. به همین دلیل بهینه سازی آن به هدف حداقل سازی ولتاژ حالت مشترک امکان پذیر است.
کلمات کلیدی:  ولتاژحالت مشترک ، مدولاسیون پهنای پالس سینوسی،مدولاسیون

 

 بررسی الگوریتم‌های بهینه رمزنگاری مقاوم به‌منظور پیاده‌سازی روی FPGA

بررسی الگوریتم‌های بهینه رمزنگاری مقاوم به‌منظور پیاده‌سازی روی FPGA
نوع فایل: word (قابل ویرایش)
تعداد صفحات : 150 صفحه

چکیده
توابع درهم‌ساز نوعی تابع چکیده ساز است که در تمامی طراحی‌های رمزنگاری و پروتکل‌های امنیتی جهت تولید اعداد تصادفی و مکانیزم ذخیره رمز عبور احراز هویت و امضای دیجیتالی در دنیای دیجیتال مورداستفاده قرار می‌گیرد.
موسسه ملی استاندارد و فناوری، مسابقه‌ای را برای بهبود بخشیدن الگوریتم‌های چکیده ساز رایج، آغاز کرد الگوریتم‌های چکیده ساز ارسالی به این مسابقه که SHA-3 نام‌گذاری شد، شامل ۵ الگوریتم مقاوم که توانست به دور پایانی مسابقات راه یابد از طرفی الگوریتم JH در دور پایانی به‌عنوان الگوریتم دوم مسابقات معرفی شود لذا هدف این پایان‌نامه بررسی الگوریتم چکیده ساز JH به‌منظور پیاده‌سازی روی FPGA بوده است در این الگوریتم، مشاهدات به‌دست‌آمده شامل منابع واهی نیستند. این شبیه‌سازی‌ها نشان می‌دهند که عملکرد الگوریتم چکیده ساز JH به چه میزان توانسته است روی FPGA شبیه‌سازی و سنتز شود.  کلیدواژه‌ها: رمزنگاری، تابع چکیده ساز، Cryptographic،Algorithm Hash Function

 
ام پی فایل - مرجع خرید ارزان پایان نامه تبلیغات شما

کدهای اختصاصی